DDR4提速3200Mbps，16nm FinFET工艺到来(被奸商逼的捉急啊，等你了)
指尖风暴 今年三季度的Haswell-E/EP将成为首个支持DDR4内存的平台，美光、三星、SK Hynix的DDR4内存也在进行中。目前DDR4的运行速率并不算多高，初代产品多数都是DDR4-2133规格的，甚至不及高频DDR3内存。Cadence公司日前宣布他们已经使用TSMC的16nm FinFET工艺生产了新DDR40内存物理层IP，速度可达3200Mbps。
Intel的Haswell-E平台将率先支持DDR4内存
JEDEC的标准中规定的DDR4内存速率是1600-3200Mbps，目前美光等公司生产的DDR4内存频率普遍都是DDR4-2133标准的，更高速的内存还在开发中。Cadence公司虽然不是内存厂商，不过他们的内存物理层IP可为其他SoC厂商的高速DDR4内存奠定了基础。此前他们使用TSMC的28nm工艺推出了首款DDR4-2400物理层及控制器，现在则在TSMC的16nm FinFET工艺帮助下实现了DDR4-3200内存物理层的开发。
据Cadence公司所说，其他公司不需要重新设计DDR4物理层接口，即便原来的最高速率只有DD4-2400，Cadence公司的物理层IP也可以通过提升额外的鲁棒性、改善系统余量实现DDR4-3200Mbps运行。此外，最新的DDR4-3200物理层IP还向下兼容早期的DDR3及低速率DDR4内存规范。
Cadence公司的DDR4-3200物理层IP的优势
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